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浏览数:2,953 发布于:2021-03-09
化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD工艺是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前趋物下,在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品,但大多会随着气流被带走,而不会留在反应腔(reaction chamber)中。
CVD技术可以用来沉积不同形式的材料,包括单晶、多晶、非晶及外延材料。这些材料有硅、碳纤维、碳纳米纤维、纳米线、纳米碳管、硅锗、钨、硅碳、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及各种不同的high-k介质等材料。CVD制程也常用来生成合成钻石。
根据不同的压力工作条件,CVD可以分为以下几种类型:
目前主流CVD为LPCVD或UHVCVD。
通过等离子体可提高CVD过程中的反应速率、降低反应温度,是在很多薄膜沉积领域常用的技术。具体来说可分为以下几种形式:
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